Wszystkie Kategorie
Powłoka CVD z węglika krzemu (SiC)
Susceptor grafitowy powlekany SiC
Susceptor grafitowy powlekany SiC

Susceptor grafitowy powlekany SiC


Susceptory grafitowe pokryte SiC firmy Semixlab to wysokowydajne komponenty przeznaczone do procesów wysokotemperaturowych, takich jak epitaksjalne osadzanie półprzewodników i MOCVD. Wykorzystują one podłoże grafitowe o wysokiej czystości, pokryte gęstą, chemicznie obojętną warstwą węglika krzemu (SiC) w procesie CVD. Susceptory te zapewniają doskonałą jednorodność termiczną, skutecznie zapobiegają zanieczyszczeniu cząsteczkowemu i znacznie zwiększają trwałość komponentów. Wybór naszych susceptorów może pomóc w zwiększeniu wydajności procesu i obniżeniu kosztów konserwacji. Czekamy na kontakt z Państwa strony.

OPIS

Powłoka grafitowa pokryta węglikiem krzemu (SiC) jest niezbędnym elementem w produkcji półprzewodników, zwłaszcza w wymagających zastosowaniach wysokotemperaturowych, takich jak osadzanie epitaksjalne i MOCVD (metalowo-organiczne chemiczne osadzanie z fazy gazowej).

Te susceptory zostały zaprojektowane tak, aby utrzymywać i podgrzewać płytki krzemowe z wyjątkową precyzją, zapewniając równomierny rozkład temperatury i nieskazitelne środowisko procesu. Nasze susceptory są kluczowe dla produkcji wysokiej jakości, jednorodnych cienkich warstw, które stanowią podstawę niezawodnych i wysokowydajnych urządzeń półprzewodnikowych.

I. Materiały rdzeniowe i kluczowe właściwości

Nasze susceptory są fachowo skonstruowane z wykorzystaniem rdzenia z czystego grafitu i warstwy ochronnej z węglika krzemu (SiC).

Grafit o wysokiej czystości: Podłoże grafitowe zapewnia integralność strukturalną i parametry termiczne rdzenia. Jego doskonała stabilność termiczna pozwala na pracę w ekstremalnie wysokich temperaturach bez deformacji. Niska masa termiczna grafitu umożliwia szybkie i wydajne nagrzewanie i chłodzenie, co jest kluczowe dla krótkich cykli produkcyjnych.

Powłoka z węglika krzemu (SiC): Powłoka SiC jest nakładana na grafit metodą CVD (chemicznego osadzania z fazy gazowej). Tworzy to gęstą, nieporowatą powierzchnię, która jest niezwykle twarda i chemicznie obojętna. SiC zapewnia doskonałą odporność na erozję plazmową i działanie agresywnych gazów procesowych, zapobiegając zanieczyszczeniom i powstawaniu cząstek. Gwarantuje to czysty proces, wydłuża żywotność elementu i chroni znajdujący się pod nim grafit przed uszkodzeniem.

II. Korzyści funkcjonalne w produkcji płytek półprzewodnikowych

Nasze grafitowe susceptory pokryte SiC odgrywają kluczową rolę w zapewnieniu jakości i wydajności produkcji półprzewodników.

● Niezrównana jednorodność termiczna: Konstrukcja susceptora, w połączeniu z właściwościami termicznymi SiC i grafitu, zapewnia równomierne rozprowadzanie ciepła po całej powierzchni płytki. Jest to kluczowe dla uzyskania jednorodnej grubości warstwy i spójnych właściwości materiału, które są kluczowe dla wysokiej wydajności urządzenia.

● Doskonała kontrola zanieczyszczeń: Nieporowata i chemicznie obojętna powłoka SiC zapobiega odgazowywaniu i odpryskiwaniu cząstek z podłoża grafitowego. To radykalnie zmniejsza ryzyko zanieczyszczenia i defektów wafli, co jest częstym wyzwaniem w procesach wysokotemperaturowych.

● Zwiększona trwałość i żywotność: Wytrzymała powłoka SiC działa jak tarcza ochronna przed czynnikami ściernymi i korozją, znacznie wydłużając żywotność susceptora. Zmniejsza to częstotliwość wymiany i obniża ogólne koszty konserwacji.

● Wysoka powtarzalność procesu: Zapewniając stabilne i spójne środowisko termiczne i chemiczne, nasze susceptory umożliwiają wysoką powtarzalność procesów. Ta spójność jest kluczowa dla masowej produkcji niezawodnych układów półprzewodnikowych.

W Semixlab dokładamy wszelkich starań, aby dostarczać branży półprzewodników komponenty najwyższej jakości i niezrównane usługi personalizacji. Oferujemy kompleksowe projektowanie i produkcję naszych grafitowych susceptorów pokrytych SiC. Nasz zespół inżynierów może współpracować z Państwem w celu stworzenia susceptora idealnie dopasowanego do specyfikacji Państwa sprzętu i unikalnych wymagań procesowych.

SPECYFIKACJA
Podstawowe właściwości fizyczne powłoki CVD SiC
Właściwość Typowa wartość
Struktura krystaliczna FCC faza β polikrystaliczna, głównie zorientowana (111)
Gęstość 3.21 g / cm³
Twardość Twardość 2500 Vickersów (obciążenie 500 g)
Wielkość ziarna 2 ~ 10 μm
Czystość chemiczna 99.99995%
Pojemność cieplna 640 Jkg-1· K-1
Temperatura sublimacji 2700 ℃
Wytrzymałość na zginanie 415 MPa RT 4-punktowy
Moduł Younga 430 Gpa 4-punktowe zgięcie, 1300℃
Przewodność cieplna 300 W·m-1· K-1
Rozszerzalność cieplna (CTE) 4.5 × 10-6K-1
Nasze usługi

Sklep z produktami Semixlab

niezdefiniowany

ZAPYTANIE

Gorące kategorie