Susceptor grafitowy powlekany SiC
Susceptory grafitowe pokryte SiC firmy Semixlab to wysokowydajne komponenty przeznaczone do procesów wysokotemperaturowych, takich jak epitaksjalne osadzanie półprzewodników i MOCVD. Wykorzystują one podłoże grafitowe o wysokiej czystości, pokryte gęstą, chemicznie obojętną warstwą węglika krzemu (SiC) w procesie CVD. Susceptory te zapewniają doskonałą jednorodność termiczną, skutecznie zapobiegają zanieczyszczeniu cząsteczkowemu i znacznie zwiększają trwałość komponentów. Wybór naszych susceptorów może pomóc w zwiększeniu wydajności procesu i obniżeniu kosztów konserwacji. Czekamy na kontakt z Państwa strony.
OPIS
Powłoka grafitowa pokryta węglikiem krzemu (SiC) jest niezbędnym elementem w produkcji półprzewodników, zwłaszcza w wymagających zastosowaniach wysokotemperaturowych, takich jak osadzanie epitaksjalne i MOCVD (metalowo-organiczne chemiczne osadzanie z fazy gazowej).
Te susceptory zostały zaprojektowane tak, aby utrzymywać i podgrzewać płytki krzemowe z wyjątkową precyzją, zapewniając równomierny rozkład temperatury i nieskazitelne środowisko procesu. Nasze susceptory są kluczowe dla produkcji wysokiej jakości, jednorodnych cienkich warstw, które stanowią podstawę niezawodnych i wysokowydajnych urządzeń półprzewodnikowych.
I. Materiały rdzeniowe i kluczowe właściwości
Nasze susceptory są fachowo skonstruowane z wykorzystaniem rdzenia z czystego grafitu i warstwy ochronnej z węglika krzemu (SiC).
Grafit o wysokiej czystości: Podłoże grafitowe zapewnia integralność strukturalną i parametry termiczne rdzenia. Jego doskonała stabilność termiczna pozwala na pracę w ekstremalnie wysokich temperaturach bez deformacji. Niska masa termiczna grafitu umożliwia szybkie i wydajne nagrzewanie i chłodzenie, co jest kluczowe dla krótkich cykli produkcyjnych.
Powłoka z węglika krzemu (SiC): Powłoka SiC jest nakładana na grafit metodą CVD (chemicznego osadzania z fazy gazowej). Tworzy to gęstą, nieporowatą powierzchnię, która jest niezwykle twarda i chemicznie obojętna. SiC zapewnia doskonałą odporność na erozję plazmową i działanie agresywnych gazów procesowych, zapobiegając zanieczyszczeniom i powstawaniu cząstek. Gwarantuje to czysty proces, wydłuża żywotność elementu i chroni znajdujący się pod nim grafit przed uszkodzeniem.
II. Korzyści funkcjonalne w produkcji płytek półprzewodnikowych
Nasze grafitowe susceptory pokryte SiC odgrywają kluczową rolę w zapewnieniu jakości i wydajności produkcji półprzewodników.
● Niezrównana jednorodność termiczna: Konstrukcja susceptora, w połączeniu z właściwościami termicznymi SiC i grafitu, zapewnia równomierne rozprowadzanie ciepła po całej powierzchni płytki. Jest to kluczowe dla uzyskania jednorodnej grubości warstwy i spójnych właściwości materiału, które są kluczowe dla wysokiej wydajności urządzenia.
● Doskonała kontrola zanieczyszczeń: Nieporowata i chemicznie obojętna powłoka SiC zapobiega odgazowywaniu i odpryskiwaniu cząstek z podłoża grafitowego. To radykalnie zmniejsza ryzyko zanieczyszczenia i defektów wafli, co jest częstym wyzwaniem w procesach wysokotemperaturowych.
● Zwiększona trwałość i żywotność: Wytrzymała powłoka SiC działa jak tarcza ochronna przed czynnikami ściernymi i korozją, znacznie wydłużając żywotność susceptora. Zmniejsza to częstotliwość wymiany i obniża ogólne koszty konserwacji.
● Wysoka powtarzalność procesu: Zapewniając stabilne i spójne środowisko termiczne i chemiczne, nasze susceptory umożliwiają wysoką powtarzalność procesów. Ta spójność jest kluczowa dla masowej produkcji niezawodnych układów półprzewodnikowych.
W Semixlab dokładamy wszelkich starań, aby dostarczać branży półprzewodników komponenty najwyższej jakości i niezrównane usługi personalizacji. Oferujemy kompleksowe projektowanie i produkcję naszych grafitowych susceptorów pokrytych SiC. Nasz zespół inżynierów może współpracować z Państwem w celu stworzenia susceptora idealnie dopasowanego do specyfikacji Państwa sprzętu i unikalnych wymagań procesowych.
SPECYFIKACJA
| Podstawowe właściwości fizyczne powłoki CVD SiC | |
| Właściwość | Typowa wartość |
| Struktura krystaliczna | FCC faza β polikrystaliczna, głównie zorientowana (111) |
| Gęstość | 3.21 g / cm³ |
| Twardość | Twardość 2500 Vickersów (obciążenie 500 g) |
| Wielkość ziarna | 2 ~ 10 μm |
| Czystość chemiczna | 99.99995% |
| Pojemność cieplna | 640 Jkg-1· K-1 |
| Temperatura sublimacji | 2700 ℃ |
| Wytrzymałość na zginanie | 415 MPa RT 4-punktowy |
| Moduł Younga | 430 Gpa 4-punktowe zgięcie, 1300℃ |
| Przewodność cieplna | 300 W·m-1· K-1 |
| Rozszerzalność cieplna (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Nasze usługi

Sklep z produktami Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




