Susceptor planetarny pokryty SiC
Susceptor planetarny z powłoką SiC firmy Semixlab został zaprojektowany z myślą o zaawansowanych środowiskach produkcyjnych półprzewodników, wymagających wyjątkowej jednorodności termicznej, długiej niezawodności cyklu i pracy bez zanieczyszczeń. Opracowany specjalnie do epitaksjalnego wzrostu Si, SiC i GaN, a także dyfuzji CVD i wyżarzania w wysokiej temperaturze, ten susceptor charakteryzuje się powłoką ochronną z SiC o wysokiej czystości, która umożliwia stabilną obróbkę płytek w agresywnych atmosferach chemicznych i temperaturach powyżej 1500°C. Zaprojektowany w celu zmniejszenia gęstości defektów, poprawy spójności grubości epitaksjalnej i wydłużenia czasu sprawności urządzeń. Czekamy na Państwa zapytanie.
OPIS
Planetarny susceptor pokryty SiC firmy Semixlab został zaprojektowany z myślą o epitaksji półprzewodników nowej generacji i obróbce termicznej CVD, gdzie jednorodność termiczna, wzrost bez defektów i długotrwała stabilność w komorze mają kluczowe znaczenie dla wydajności urządzenia. Ten nośnik został zaprojektowany specjalnie do pracy w wysokich temperaturach przekraczających 1500°C oraz w warunkach złożonej chemii gazów, powszechnie występujących w systemach epitaksjalnych z krzemu, SiC i GaN. Opatentowana powłoka SiC tworzy gęstą, wysokiej czystości warstwę ochronną, która zapobiega zanieczyszczeniom i gwarantuje stabilną, długotrwałą pracę w wymagających zakładach produkcyjnych.
W procesach epitaksjalnych półprzewodników, takich jak wzrost Si, SiC i GaN, planetarne nośniki płytek pełnią funkcję rdzeniowej platformy mechanicznej i termicznej do transportu płytek do strefy reakcji. Ich zoptymalizowana przewodność cieplna umożliwia precyzyjny rozkład temperatury, a planetarny system rotacji zapewnia równomierne tempo wzrostu, wprowadzanie domieszek i jakość kryształu w wielu płytkach. W produkcji układów mocy SiC, nawet wahania temperatury podłoża rzędu ±1-2% wpływają na gęstość dyslokacji w płaszczyźnie podstawowej i wydajność urządzenia. Zwiększona równomierność termiczna zapewniana przez planetarne nośniki płytek pokryte SiC pomaga producentom zmniejszyć gęstość defektów, poprawić równomierność grubości i zwiększyć wydajność produkcji z partii na partię.
Oprócz procesów epitaksjalnych, ten susceptor ma również kluczowe znaczenie w procesach dyfuzyjnego osadzania chemicznego z fazy gazowej i wyżarzania termicznego, pełniąc funkcję stabilnego interfejsu termicznego między źródłem ciepła a powierzchnią płytki. Jego powierzchnia, pozbawiona pozostałości i charakteryzująca się niską zawartością cząstek, minimalizuje ryzyko zanieczyszczenia podczas długich cykli termicznych, chroniąc płytki przed wżerami, formowaniem się cząstek i zanieczyszczeniem tylnej strony. W porównaniu z konwencjonalnymi, grafitowymi elementami nośnymi, powłoka SiC firmy Semixlab znacznie wydłuża żywotność, skraca przestoje związane z czyszczeniem i regeneracją oraz zapewnia niższe koszty w liniach produkcyjnych o dużej wydajności.
Każdy susceptor planetarny Semixlab pokryty SiC jest produkowany z wykorzystaniem wysokiej czystości grafitu i zaawansowanej technologii osadzania powłok SiC metodą CVD, co zapewnia przyczepność powłoki, jednorodność grubości i odporność na szok termiczny. Produkt oferuje możliwość dostosowania wymiarów i konfiguracji do wiodących platform epitaksjalnych stosowanych w produkcji urządzeń półprzewodnikowych. Usługi techniczne Semixlab obejmują ocenę wydajności powłok, doradztwo w zakresie kompatybilności komór oraz zarządzanie cyklem życia, co ma na celu pomóc fabrykom zwiększyć moce produkcyjne, utrzymać wydajność i usprawnić cykle produkcyjne urządzeń. Z niecierpliwością czekamy na dalsze zapytania.
Nasze usługi

Sklep z produktami Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




